摘要:半導(dǎo)體開關(guān)制造技術(shù)的進(jìn)步及碳化硅、氮化鎵等新型半導(dǎo)體材料的出現(xiàn),為逆變電源的設(shè)計帶來新的挑戰(zhàn).通過對方波形逆變器調(diào)制方案、正弦波脈沖寬度調(diào)制(SPWM)方案、多電平調(diào)制(MLM)方案對應(yīng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)以及各種參數(shù)進(jìn)行對比,多電平調(diào)制方案具有總諧波失真(THD)小、高頻開關(guān)損耗小、電源轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)勢.
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