摘要：隨著現(xiàn)代電子產品的快速發(fā)展,研發(fā)具有高效的熱管理材料正成為全球性的挑戰(zhàn)。研究表明界面熱阻是限制導熱復合熱管理材料高導熱性能的最主要因素。該文設計并利用水熱法合成了低界面熱阻的六方氮化硼(BN)/二硫化鉬(MoS2)異質結構,并將高導熱性的BN/MoS2異質結構填充到環(huán)氧樹脂中制備納米復合材料。在水熱反應過程中,MoS2生長在BN納米片上,確保了較好的界面接觸。其中,BN充當結構骨架和傳熱通道,而MoS2納米片具有較大的比表面積,故能有效地收集熱量。借助MoS2的浸潤性,可以降低填料和聚合物基質之間的界面熱阻。實驗結果表明,合成的BN/MoS2-環(huán)氧納米復合材料導熱率從0.254 W/(m·K)提高到0.526 W/(m·K),比純環(huán)氧樹脂的導熱率提升了107%。該研究結果有助于開發(fā)新型高性能導熱材料。