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智能卡芯片中ESD的設計

作者：馬和良 聚辰半導體股份有限公司; 上海200120

摘要：在智能卡的設計中,集成電路器件特征尺寸變得越來越小。目前主流的工藝是130 nm和90 nm,所面臨的靜電放電(ESD,Electro Static Discharge)挑戰(zhàn)也越來越嚴峻。基于ESD研究背景,ESD故障機制和放電模型,ESD器件保護以及器件在布局上的ESD性能,對設計的ESD器件進行TLP實測,得出的結論在芯片的ESD設計中具有重要的參考意義。

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