摘要:提出了一種帶寬為1~32 MHz、以1 MHz為步進的可調(diào)的連續(xù)時間Δ-Σ模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC),并且在標(biāo)準(zhǔn)65 nm CMOS工藝下進行了流片驗證。設(shè)計采用傳統(tǒng)三階級聯(lián)反饋型(CRFB)結(jié)構(gòu),并基于圖形處理器單元(GPU)加速的連續(xù)時間Δ-ΣADC調(diào)制器系數(shù)設(shè)計方法針對系統(tǒng)系數(shù)進行了優(yōu)化。設(shè)計在3組可調(diào)電阻、電容陣列的基礎(chǔ)上針對反饋電流數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)以及運算放大器進行了功耗可調(diào)設(shè)計,從而實現(xiàn)了功耗、輸入帶寬的高度可調(diào)特性。仿真結(jié)果表明,Δ-ΣADC在30 MHz帶寬模式下能夠?qū)崿F(xiàn)81.36 dBc的無雜散動態(tài)范圍(SFDR),在1~32 MHz的不同帶寬模式下能夠?qū)崿F(xiàn)80~85.9 dB的信噪失真比(SNDR)。整個接收系統(tǒng)的測試結(jié)果表明,在保證系統(tǒng)整體性能的情況下,在1,5,10,20和32 MHz帶寬模式下其功耗分別為33.7,45,48.9,77.1和101 mW。Δ-ΣADC的芯片面積為0.55 mm~2。
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半導(dǎo)體技術(shù)雜志, 月刊,本刊重視學(xué)術(shù)導(dǎo)向,堅持科學(xué)性、學(xué)術(shù)性、先進性、創(chuàng)新性,刊載內(nèi)容涉及的欄目:趨勢與展望、半導(dǎo)體集成電路、半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體制備技術(shù)、先進封裝技術(shù)等。于1976年經(jīng)新聞總署批準(zhǔn)的正規(guī)刊物。